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【2h】

Flash correct-and-refresh: retention-aware error management for increased flash memory lifetime

机译：刷新和刷新闪存：保留感知错误管理，可延长闪存寿命

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Yu Cai; Gulay Yalcin; Onur Mutlu; Erich F. Haratsch; Adrian Cristal; Osman S. Unsal; Ken Mai;
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年度 2013
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1. Extending lifetime of flash memory using strong error correction coding [J] . Kim Chanha, Park Chanik, Yoo Sungjoo, Consumer Electronics, IEEE Transactions on . 2015,第2期

机译：使用强大的纠错编码来延长闪存的寿命
2. Error Control Schemes for Modern Flash Memories: Solutions for Flash deficiencies [J] . Sala F., Schouhamer Immink K., Dolecek L. Consumer Electronics Magazine, IEEE . 2015,第1期

机译：现代闪存的错误控制方案：闪存不足的解决方案
3. Fixation Ratio of Error Location-Aware Strategy for Increased Reliable Retention Time of Flash Memory [J] . Debao Wei, Liyan Qiao, Shiyuan Wang, IEEE transactions on very large scale integration (VLSI) systems . 2016,第10期

机译：错误定位感知策略的固定比率，可增加闪存的可靠保留时间
4. Flash correct-and-refresh: Retention-aware error management for increased flash memory lifetime [C] . Cai Yu, Yalcin Gulay, Mutlu Onur, 2012 IEEE 30th International Conference on Computer Design. . 2012

机译：刷新和刷新闪存：保留感知错误管理，可延长闪存寿命
5. Error Characterization, Channel Modeling and Coding for Flash Memories [D] . Taranalli, Veeresh. 2017

机译：闪存的错误表征，频道建模和编码
6. Long-term memory for the terrorist attack of September 11: Flashbulb memories event memories and the factors that influence their retention [O] . William Hirst, Elizabeth A. Phelps, Randy L. Buckner, -1

机译：9月11日的恐怖袭击事件的长期记忆：Flashbulb MemoriesEvent Memories以及影响其保留的因素
7. Flash Correct-and-Refresh: Retention-Aware Error Management for Increased Flash Memory Lifetime [O] . Cai, Yu, Yalcin, Gulay, Mutlu, Onur, 2012

机译：闪存更正和刷新：保留感知错误管理，可增加闪存寿命

Flash correct-and-refresh: retention-aware error management for increased flash memory lifetime

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